ATP108-TL-H onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: ATPAK
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ATP108-TL-H onsemi
Description: ONSEMI - ATP108-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.008 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 70, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 60, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6, Verlustleistung: 60, Bauform - Transistor: ATPAK, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції ATP108-TL-H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ATP108-TL-H | ON Semiconductor |
 MOSFET SWITCHING DEVICE |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ATP108-TL-H | ON Semiconductor |
на замовлення 2757 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ATP108-TL-H |
|
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET SWITCHING DEVICE
MOSFET SWITCHING DEVICE
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ATP108-TL-H |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)