Продукція > ONSEMI > ATP108-TL-H
ATP108-TL-H

ATP108-TL-H onsemi


Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 20 V
на замовлення 1616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
276+79.06 грн
Мінімальне замовлення: 276
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ATP108-TL-H onsemi

Description: MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: ATPAK (2 leads+tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Supplier Device Package: ATPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 20 V.

Інші пропозиції ATP108-TL-H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ATP108-TL-H ATP108-TL-H Виробник : ON Semiconductor ENA1604-D-1804464.pdf MOSFET SWITCHING DEVICE
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ATP108-TL-H Виробник : ON Semiconductor
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ATP108-TL-H ATP108-TL-H Виробник : onsemi Description: MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.