Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ATP112-TL-H ON Semiconductor
Description: ONSEMI - ATP112-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.033 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 25, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 40, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6, Verlustleistung: 40, Bauform - Transistor: ATPAK, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції ATP112-TL-H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ATP112-TL-H | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: ATPAK (2 leads+tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Supplier Device Package: ATPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
ATP112-TL-H | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: ATPAK Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: ATPAK (2 leads+tab) Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
ATP112-TL-H | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - ATP112-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.033 ohm, ATPAK, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 25 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 40 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6 Verlustleistung: 40 Bauform - Transistor: ATPAK Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| ATP112-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| ATP112-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| ATP112-TL-H |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ATP112-TL-H |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: ATPAK
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: ATPAK
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ATP112-TL-H |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP112-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.033 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 25
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - ATP112-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.033 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 25
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ATP112-TL-H |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ATP112-TL-H |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.