ATP113-TL-H onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 51.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ATP113-TL-H onsemi
Description: ONSEMI - ATP113-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0225 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: ATPAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ATP113-TL-H за ціною від 47.73 грн до 166.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ATP113-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP113-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0225 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: ATPAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ATP113-TL-H | Виробник : onsemi |
MOSFET SWITCHING DEVICE |
на замовлення 2966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ATP113-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: ATPAK (2 leads+tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Supplier Device Package: ATPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V |
на замовлення 4008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ATP113-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP113-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0225 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: ATPAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ATP113-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 35A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| ATP113-TL-H | Виробник : ONSEMI |
ATP113-TL-H SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |