Технічний опис ATP202-TL-H onsemi
Description: ONSEMI - ATP202-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.009 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 50, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 40, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 40, Bauform - Transistor: ATPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції ATP202-TL-H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
ATP202-TL-H | onsemi |
MOSFET SWITCHING DEVICE |
на замовлення 4933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ATP202-TL-H | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ATP202-TL-H |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFET SWITCHING DEVICE
MOSFET SWITCHING DEVICE
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ATP202-TL-H |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



