ATP207-TL-H onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2710 pF @ 20 V
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 395+ | 54.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ATP207-TL-H onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: ATPAK (2 leads+tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Supplier Device Package: ATPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2710 pF @ 20 V.
Інші пропозиції ATP207-TL-H за ціною від 44.24 грн до 44.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ATP207-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP207-TL-H - ATP207-TL-H, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
|
ATP207-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: ATPAK (2 leads+tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Supplier Device Package: ATPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2710 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |