Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ATP208-TL-H ON Semiconductor
Description: ONSEMI - ATP208-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0046 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 90, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 60, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 60, Bauform - Transistor: ATPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції ATP208-TL-H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
ATP208-TL-H | ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
ATP208-TL-H | ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
ATP208-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP208-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0046 ohm, ATPAK, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 90 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 60 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 60 Bauform - Transistor: ATPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| ATP208-TL-H |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK
Description: MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ATP208-TL-H |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK
Description: MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ATP208-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP208-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0046 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 90
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - ATP208-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0046 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 90
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.




