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Технічний опис ATP214-TL-H ON Semiconductor
Description: ONSEMI - ATP214-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0062 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 75, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 60, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 60, Bauform - Transistor: ATPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції ATP214-TL-H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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ATP214-TL-H | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 75A ATPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: ATPAK (2 leads+tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Supplier Device Package: ATPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 20 V |
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ATP214-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP214-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0062 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 75 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 60 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 60 Bauform - Transistor: ATPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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| ATP214-TL-H | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R |
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| ATP214-TL-H |
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Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
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| ATP214-TL-H |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP214-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0062 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - ATP214-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0062 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062
Rds(on)-Prüfspannung: 10
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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| ATP214-TL-H |
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Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
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