Продукція > ONSEMI > ATP304-TL-H
ATP304-TL-H

ATP304-TL-H onsemi


ena2192-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+173.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ATP304-TL-H onsemi

Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.005 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: ATPAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції ATP304-TL-H за ціною від 156.62 грн до 494.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ATP304-TL-H ATP304-TL-H Виробник : ONSEMI 2337917.pdf Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.005 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+221.18 грн
500+200.78 грн
1500+181.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ATP304-TL-H Виробник : onsemi ena2192-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
на замовлення 40592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.38 грн
10+273.96 грн
100+200.21 грн
500+156.89 грн
1000+156.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ATP304-TL-H Виробник : onsemi ena2192-d.pdf MOSFETs PCH 4.5V DRIVE SERIES
на замовлення 54293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+432.58 грн
10+297.80 грн
25+258.22 грн
100+198.63 грн
250+181.71 грн
500+171.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ATP304-TL-H Виробник : ONSEMI 2337917.pdf Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.005 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+494.35 грн
50+343.32 грн
100+264.09 грн
500+205.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ATP304-TL-H Виробник : ON Semiconductor 163ena2192-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ATP304-TL-H Виробник : ON Semiconductor 163ena2192-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ATP304-TL-H Виробник : ON Semiconductor 163ena2192-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H Виробник : ONSEMI ena2192-d.pdf ATP304-TL-H SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.