ATP304-TL-H ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.005 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 90W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 246.26 грн |
| 500+ | 163.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ATP304-TL-H ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.005 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 90W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: ATPAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції ATP304-TL-H за ціною від 163.28 грн до 396.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ATP304-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: ATPAK (2 leads+tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Supplier Device Package: ATPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V |
на замовлення 703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ATP304-TL-H | Виробник : onsemi |
MOSFET PCH 4.5V DRIVE SERIES |
на замовлення 7899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ATP304-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.005 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 90W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: ATPAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ATP304-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ATP304-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
ATP304-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| ATP304-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -100A; 90W; ATPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -100A Power dissipation: 90W Case: ATPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
ATP304-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: ATPAK (2 leads+tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Supplier Device Package: ATPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| ATP304-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -100A; 90W; ATPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -100A Power dissipation: 90W Case: ATPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |