ATP304-TL-H ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 239.70 грн |
| 500+ | 217.28 грн |
| 1500+ | 197.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ATP304-TL-H ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: ATPAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ATP304-TL-H за ціною від 162.13 грн до 500.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ATP304-TL-H | Виробник : onsemi |
MOSFETs PCH 4.5V DRIVE SERIES |
на замовлення 22697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ATP304-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: ATPAK (2 leads+tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Supplier Device Package: ATPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V |
на замовлення 3155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ATP304-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ATP304-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ATP304-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: ATPAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 9004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| ATP304-TL-H | Виробник : ONN |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
ATP304-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| ATP304-TL-H | Виробник : On Semiconductor |
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
ATP304-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: ATPAK (2 leads+tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Supplier Device Package: ATPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |