Продукція > ONSEMI > ATP304-TL-H
ATP304-TL-H

ATP304-TL-H onsemi


ena2192-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+187.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ATP304-TL-H onsemi

Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: ATPAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ATP304-TL-H за ціною від 177.17 грн до 450.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ATP304-TL-H ATP304-TL-H Виробник : ONSEMI 2337917.pdf Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+244.16 грн
500+225.92 грн
1500+207.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ATP304-TL-H Виробник : onsemi ena2192-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
на замовлення 10569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+364.31 грн
10+259.25 грн
100+199.55 грн
500+185.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ATP304-TL-H Виробник : onsemi ena2192-d.pdf MOSFETs PCH 4.5V DRIVE SERIES
на замовлення 22697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.71 грн
10+286.30 грн
100+191.68 грн
500+190.15 грн
1000+177.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ATP304-TL-H Виробник : ONSEMI 2337917.pdf Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+411.21 грн
50+299.84 грн
100+244.16 грн
500+225.92 грн
1500+207.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ATP304-TL-H Виробник : ON Semiconductor atp304-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+420.75 грн
41+304.15 грн
42+300.36 грн
100+220.57 грн
250+186.77 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ATP304-TL-H Виробник : ON Semiconductor atp304-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+450.80 грн
10+325.88 грн
25+321.81 грн
100+236.32 грн
250+200.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ATP304-TL-H Виробник : ON Semiconductor atp304-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ATP304-TL-H Виробник : ON Semiconductor 163ena2192-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.