ATP304-TL-H onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ATPAK
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 408.24 грн |
| 10+ | 263.44 грн |
| 100+ | 189.93 грн |
| 500+ | 176.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ATP304-TL-H onsemi
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, Verlustleistung: 90W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: ATPAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm.
Інші пропозиції ATP304-TL-H за ціною від 212.94 грн до 479.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ATP304-TL-H | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ATP304-TL-H | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ATP304-TL-H | onsemi |
MOSFETs PCH 4.5V DRIVE SERIES |
на замовлення 22697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
ATP304-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 90W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: ATPAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm |
на замовлення 5380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
ATP304-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: ATPAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 9004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ATP304-TL-H | ONN |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ATP304-TL-H |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 479.71 грн |
| 10+ | 346.78 грн |
| 25+ | 342.45 грн |
| 100+ | 251.48 грн |
| 250+ | 212.94 грн |
| ATP304-TL-H |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 479.71 грн |
| 41+ | 346.78 грн |
| 42+ | 342.45 грн |
| 100+ | 251.48 грн |
| 250+ | 212.94 грн |
| ATP304-TL-H |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs PCH 4.5V DRIVE SERIES
MOSFETs PCH 4.5V DRIVE SERIES
на замовлення 22697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ATP304-TL-H |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 90W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 90W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ATP304-TL-H |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 9004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ATP304-TL-H |
|
Виробник: ONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)