Продукція > ONSEMI > ATP304-TL-H
ATP304-TL-H

ATP304-TL-H ONSEMI

2337917.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 9004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+236.79 грн
500+214.64 грн
1500+194.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ATP304-TL-H ONSEMI

Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: ATPAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ATP304-TL-H за ціною від 160.16 грн до 494.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ATP304-TL-H ATP304-TL-H onsemi ena2192-d.pdf MOSFETs PCH 4.5V DRIVE SERIES
на замовлення 22697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.04 грн
10+258.81 грн
100+173.28 грн
500+171.89 грн
1000+160.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ATP304-TL-H onsemi ena2192-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ATPAK
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.40 грн
10+261.60 грн
100+188.61 грн
500+175.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ATP304-TL-H ONSEMI 2337917.pdf Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 9004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+494.51 грн
50+331.82 грн
100+236.79 грн
500+214.64 грн
1500+194.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ONN ena2192-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ena2192-d.pdf
ATP304-TL-H
Виробник: onsemi
MOSFETs PCH 4.5V DRIVE SERIES
на замовлення 22697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+364.04 грн
10+258.81 грн
100+173.28 грн
500+171.89 грн
1000+160.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ena2192-d.pdf
ATP304-TL-H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ATPAK
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+405.40 грн
10+261.60 грн
100+188.61 грн
500+175.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H 2337917.pdf
ATP304-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 9004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+494.51 грн
50+331.82 грн
100+236.79 грн
500+214.64 грн
1500+194.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ATP304-TL-H ena2192-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.