Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ATP405-TL-H ON Semiconductor
Description: ONSEMI - ATP405-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.025 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, Dauer-Drainstrom Id: 40, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 70, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 70, Bauform - Transistor: ATPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції ATP405-TL-H за ціною від 50.57 грн до 171.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ATP405-TL-H | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 40A ATPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: ATPAK (2 leads+tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Supplier Device Package: ATPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V |
на замовлення 2739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| ATP405-TL-H | ON Semiconductor |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ATP405-TL-H |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 40A ATPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 100V 40A ATPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 171.27 грн |
| 10+ | 106.26 грн |
| 100+ | 72.81 грн |
| 500+ | 54.89 грн |
| 1000+ | 50.57 грн |
| ATP405-TL-H |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)