AUIRF1010EZ Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 264+ | 117.59 грн |
| 500+ | 112.43 грн |
| 1000+ | 106.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF1010EZ Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AUIRF1010EZ за ціною від 129.51 грн до 129.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF1010EZ | Виробник : International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
AUIRF1010EZ | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |