Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AUIRF1010EZS
AUIRF1010EZS

AUIRF1010EZS Infineon Technologies

3034626242174808auirf1010ez.pdffileid5546d462533600a4015355a891b01360.pdffileid55.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
266+116.55 грн
Мінімальне замовлення: 266
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF1010EZS Infineon Technologies

Description: AUIRF1010 - 55V-60V N-CHANNEL AU, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AUIRF1010EZS за ціною від 94.07 грн до 128.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRF1010EZS AUIRF1010EZS Виробник : Infineon Technologies IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUIRF1010 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
163+128.81 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010EZS Виробник : International Rectifier IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf1010ez.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a891b01360 MOSFET N-CH 60V 84A Automotive AUIRF1010EZS International Rectifier TAUIRF1010ezs
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+94.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010EZS AUIRF1010EZS Виробник : Infineon Technologies 3034626242174808auirf1010ez.pdffileid5546d462533600a4015355a891b01360.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010EZS AUIRF1010EZS Виробник : Infineon Technologies auirf1010ez.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a891b01360 Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.