
AUIRF1010EZS Infineon Technologies

Description: AUIRF1010 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
197+ | 105.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF1010EZS Infineon Technologies
Description: AUIRF1010 - 55V-60V N-CHANNEL AU, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AUIRF1010EZS за ціною від 92.50 грн до 114.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AUIRF1010EZS | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
AUIRF1010EZS | Виробник : International Rectifier |
![]() ![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
AUIRF1010EZS | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
AUIRF1010EZS | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |