AUIRF1010Z International Rectifier


IRSDS13157-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
192+104.89 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF1010Z International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AUIRF1010Z

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRF1010Z AUIRF1010Z Infineon / IR Infineon-AUIRF1010ZS-DS-v02_02-EN-1730963.pdf MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010Z Infineon-AUIRF1010ZS-DS-v02_02-EN-1730963.pdf
Виробник: Infineon / IR
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.