AUIRF1010ZSTRL Infineon Technologies
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 264.04 грн |
| 10+ | 218.81 грн |
| 25+ | 179.59 грн |
| 100+ | 154.22 грн |
| 250+ | 145.54 грн |
| 500+ | 136.86 грн |
| 800+ | 116.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF1010ZSTRL Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Not For New Designs, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AUIRF1010ZSTRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF1010ZSTRL | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
AUIRF1010ZSTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
AUIRF1010ZSTRL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 94A; 140W; D2PAK Kind of package: reel Drain-source voltage: 55V Drain current: 94A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|
 |
AUIRF1010ZSTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Not For New Designs Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
AUIRF1010ZSTRL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 94A; 140W; D2PAK Kind of package: reel Drain-source voltage: 55V Drain current: 94A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: D2PAK |
товар відсутній |