AUIRF1324WL Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 240A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Wide Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3 Wide
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 19 V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 713.52 грн |
| 10+ | 588.91 грн |
| 100+ | 490.78 грн |
| 500+ | 406.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF1324WL Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF1324WL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 240 A, 0.00116 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 24, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: TO-262, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00116, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00116, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції AUIRF1324WL за ціною від 368.66 грн до 831.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF1324WL | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET AUTO 24V 1 N-CH HEXFET 1.3mOhms |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRF1324WL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF1324WL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 240 A, 0.00116 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 24 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-262 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00116 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00116 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRF1324WL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 382A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
AUIRF1324WL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 382A Power dissipation: 300W Case: TO262WL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.16mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AUIRF1324WL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 382A Power dissipation: 300W Case: TO262WL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.16mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |