AUIRF1324WL INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - AUIRF1324WL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 240 A, 0.00116 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00116ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 626.81 грн |
| 5+ | 539.71 грн |
| 10+ | 451.79 грн |
| 50+ | 398.36 грн |
| 100+ | 353.76 грн |
| 250+ | 346.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF1324WL INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF1324WL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 240 A, 0.00116 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 24V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00116ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції AUIRF1324WL за ціною від 461.49 грн до 649.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF1324WL | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs AUTO 24V 1 N-CH HEXFET 1.3mOhms |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
AUIRF1324WL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 382A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
AUIRF1324WL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 382A Power dissipation: 300W Case: TO262WL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.16mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
AUIRF1324WL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 24V 240A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Wide Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Wide Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 19 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
AUIRF1324WL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 382A Power dissipation: 300W Case: TO262WL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.16mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |