Інші пропозиції AUIRF1404Z за ціною від 294.16 грн до 629.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF1404Z | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRF1404Z | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRF1404Z | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRF1404Z | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRF1404Z | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF1404Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 3700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRF1404Z | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |