Інші пропозиції AUIRF2804STRL Транзистор за ціною від 152.99 грн до 270.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF2804STRL | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AUIRF2804STRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
AUIRF2804STRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF2804STRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AUIRF2804STRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AUIRF2804STRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AUIRF2804STRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF2804STRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| AUIRF2804STRL | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
AUIRF2804STRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
AUIRF2804STRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
AUIRF2804STRL | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
AUIRF2804STRL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |