AUIRF3205

AUIRF3205 International Rectifier


auirf3205.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac6c3e139f Виробник: International Rectifier
Description: AUIRF3205 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+129.06 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF3205 International Rectifier

Description: INFINEON - AUIRF3205 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції AUIRF3205 за ціною від 111.96 грн до 372.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRF3205 AUIRF3205 Виробник : Infineon Technologies auirf3205.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac6c3e139f Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.70 грн
50+158.75 грн
100+144.41 грн
500+111.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205 AUIRF3205 Виробник : INFINEON auirf3205.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac6c3e139f Description: INFINEON - AUIRF3205 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+372.02 грн
10+273.52 грн
100+175.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205 AUIRF3205 Виробник : Infineon Technologies auirf3205.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205 AUIRF3205 Виробник : Infineon Technologies auirf3205.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.