AUIRF3710ZSTRL

AUIRF3710ZSTRL Infineon Technologies


auirf3710z.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+167.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF3710ZSTRL Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AUIRF3710ZSTRL за ціною від 107.49 грн до 258.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL Виробник : Infineon Technologies Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+238.32 грн
10+ 192.7 грн
100+ 155.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL Виробник : Infineon Technologies auirf3710z-1225369.pdf MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+258.59 грн
10+ 214.97 грн
25+ 186.26 грн
100+ 150.88 грн
500+ 136.86 грн
800+ 114.16 грн
2400+ 107.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL Виробник : Infineon Technologies auirf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL Виробник : Infineon Technologies auirf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL Виробник : Infineon Technologies auirf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES auirf3710z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL Виробник : Infineon Technologies Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES auirf3710z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній