Технічний опис AUIRF3805STRL Infineon
Description: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AUIRF3805STRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRF3805STRL | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
|
AUIRF3805STRL | Infineon Technologies |
MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| AUIRF3805STRL |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRF3805STRL |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.




