Інші пропозиції AUIRF4905STRL за ціною від 249.51 грн до 548.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRF4905STRL | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AUIRF4905STRL | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 19950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AUIRF4905STRL | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 54248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AUIRF4905STRL | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF4905STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 14463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AUIRF4905STRL | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF4905STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 14463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AUIRF4905STRL | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AUIRF4905STRL |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 359.34 грн |
| 42+ | 343.90 грн |
| 50+ | 330.80 грн |
| 100+ | 308.16 грн |
| 250+ | 276.68 грн |
| 500+ | 258.39 грн |
| 1000+ | 252.07 грн |
| AUIRF4905STRL |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 95+ | 372.45 грн |
| 100+ | 353.59 грн |
| 500+ | 334.73 грн |
| 1000+ | 305.73 грн |
| 10000+ | 266.24 грн |
| AUIRF4905STRL |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 54248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 95+ | 372.45 грн |
| 100+ | 353.59 грн |
| 500+ | 334.73 грн |
| 1000+ | 305.73 грн |
| 10000+ | 266.24 грн |
| AUIRF4905STRL |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF4905STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: INFINEON - AUIRF4905STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 14463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 410.33 грн |
| 100+ | 337.96 грн |
| 500+ | 284.81 грн |
| 1000+ | 249.51 грн |
| AUIRF4905STRL |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF4905STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: INFINEON - AUIRF4905STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 14463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 528.74 грн |
| 10+ | 410.33 грн |
| 100+ | 337.96 грн |
| 500+ | 284.81 грн |
| 1000+ | 249.51 грн |
| AUIRF4905STRL |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 548.43 грн |
| 32+ | 448.26 грн |
| 35+ | 413.21 грн |
| 100+ | 377.85 грн |




