Продукція > INFINEON > AUIRF5210STRL
AUIRF5210STRL

AUIRF5210STRL INFINEON

2354669.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF5210STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+397.23 грн
50+368.91 грн
100+315.50 грн
250+286.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF5210STRL INFINEON

Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AUIRF5210STRL за ціною від 203.44 грн до 522.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRF5210STRL AUIRF5210STRL Виробник : Infineon Technologies 3677058177813743auirf5210s.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 38A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+445.28 грн
33+377.32 грн
50+287.05 грн
100+275.82 грн
200+240.90 грн
500+203.44 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRL AUIRF5210STRL Виробник : Infineon Technologies Infineon_AUIRF5210S_DataSheet_v01_02_EN-3360519.pdf MOSFET Automotive MOSFET P 38A 150nC D2Pak
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+492.79 грн
10+416.60 грн
25+343.71 грн
100+301.39 грн
250+292.48 грн
500+282.83 грн
800+239.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRL AUIRF5210STRL Виробник : INFINEON 2354669.pdf Description: INFINEON - AUIRF5210STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+522.97 грн
10+397.23 грн
50+368.91 грн
100+315.50 грн
250+286.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRL AUIRF5210STRL Виробник : Infineon Technologies 3677058177813743auirf5210s.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRL AUIRF5210STRL Виробник : Infineon Technologies 3677058177813743auirf5210s.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 38A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRL AUIRF5210STRL Виробник : Infineon Technologies auirf5210s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acd8ce13c3 Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRL AUIRF5210STRL Виробник : Infineon Technologies auirf5210s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acd8ce13c3 Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.