AUIRF6215STRL Infineon Technologies


Infineon_AUIRF6215S_DataSheet_v02_03_EN-3360541.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Automotive MOSFET 150V, 295mOhm, D2Pak
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Технічний опис AUIRF6215STRL Infineon Technologies

Description: INFINEON - AUIRF6215STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 110W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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AUIRF6215STRL AUIRF6215STRL INFINEON 2849728.pdf Description: INFINEON - AUIRF6215STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
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на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
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Виробник: INFINEON
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Description: INFINEON - AUIRF6215STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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