AUIRF7313QTR

AUIRF7313QTR Infineon Technologies


auirf7313q-3159724.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Dual N-Ch 30V 6.5A Automotive MOSFET
на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.92 грн
10+ 171.54 грн
2500+ 69.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF7313QTR Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Last Time Buy.

Інші пропозиції AUIRF7313QTR за ціною від 48.57 грн до 48.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AUIRF7313QTR Виробник : International Rectifier auirf7313q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad20ab13d6 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.4W AUIRF7313QTR TAUIRF7313q
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+48.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
AUIRF7313QTR AUIRF7313QTR Виробник : Infineon Technologies 3677813922631487auirf7313q.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AUIRF7313QTR Виробник : Infineon Technologies 3677813922631487auirf7313q.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A Automotive 8-Pin SOIC Tube
товар відсутній
AUIRF7313QTR AUIRF7313QTR Виробник : Infineon Technologies auirf7313q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad20ab13d6 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній