AUIRF7313QTR Infineon Technologies
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 196.55 грн |
| 10+ | 189.51 грн |
| 2500+ | 76.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF7313QTR Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Last Time Buy.
Інші пропозиції AUIRF7313QTR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF7313QTR | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7313QTR - AUIRF7313Q 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVEtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
 |
AUIRF7313QTR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|
| AUIRF7313QTR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A Automotive 8-Pin SOIC Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
AUIRF7313QTR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Last Time Buy |
товару немає в наявності |