Продукція > INFINEON > AUIRF7316QTR
AUIRF7316QTR

AUIRF7316QTR INFINEON

INFN-S-A0002298726-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7316QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+173.76 грн
250+153.78 грн
1000+107.30 грн
2000+93.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF7316QTR INFINEON

Description: INFINEON - AUIRF7316QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції AUIRF7316QTR за ціною від 93.09 грн до 308.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRF7316QTR AUIRF7316QTR Виробник : INFINEON INFN-S-A0002298726-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7316QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+202.44 грн
50+173.76 грн
250+153.78 грн
1000+107.30 грн
2000+93.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR AUIRF7316QTR Виробник : Infineon Technologies auirf7316q-1730907.pdf MOSFET AUTO -30V DUAL P-CH HEXFET 0.042 RDSon
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.76 грн
10+186.15 грн
25+149.48 грн
100+128.57 грн
250+123.92 грн
500+118.50 грн
4000+110.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR AUIRF7316QTR Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0002298726-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2P-CH 30V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR AUIRF7316QTR Виробник : Infineon Technologies 3677785560926552auirf7316q.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR Виробник : Infineon Technologies 3677785560926552auirf7316q.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR AUIRF7316QTR Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0002298726-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2P-CH 30V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR AUIRF7316QTR Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES auirf7316q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 98mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.