Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AUIRF7341QTR
AUIRF7341QTR

AUIRF7341QTR Infineon Technologies

3677781634719755auirf7341q.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+195.68 грн
75+188.22 грн
100+181.83 грн
250+170.02 грн
500+153.14 грн
1000+143.42 грн
2500+140.26 грн
5000+137.46 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF7341QTR Infineon Technologies

Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції AUIRF7341QTR за ціною від 104.83 грн до 199.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR Infineon Technologies 3677781634719755auirf7341q.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+199.92 грн
87+162.29 грн
100+151.70 грн
200+145.15 грн
500+119.70 грн
1000+107.86 грн
2000+104.83 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR Infineon Technologies auirf7341q-1730924.pdf MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 50mOhms
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON auirf7341q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad364513dc Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 37802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON auirf7341q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad364513dc Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 37802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON 2255439.pdf Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR ROCHESTER ELECTRONICS auirf7341q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad364513dc Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7341QTR - AUIRF7341 - 20V-800V AUTOMOTIVE MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR 3677781634719755auirf7341q.pdf
AUIRF7341QTR
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+199.92 грн
87+162.29 грн
100+151.70 грн
200+145.15 грн
500+119.70 грн
1000+107.86 грн
2000+104.83 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR auirf7341q-1730924.pdf
AUIRF7341QTR
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 50mOhms
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR auirf7341q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad364513dc
AUIRF7341QTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 37802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR auirf7341q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad364513dc
AUIRF7341QTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 37802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR 2255439.pdf
AUIRF7341QTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR auirf7341q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad364513dc
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7341QTR - AUIRF7341 - 20V-800V AUTOMOTIVE MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.