Продукція > INFINEON > AUIRF7343QTR
AUIRF7343QTR

AUIRF7343QTR INFINEON

INFN-S-A0002267452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF7343QTR INFINEON

Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції AUIRF7343QTR за ціною від 75.52 грн до 149.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AUIRF7343QTR AUIRF7343QTR Infineon Technologies auirf7343q-1730807.pdf MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTR AUIRF7343QTR INFINEON INFN-S-A0002267452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTR Infineon Technologies auirf7343q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad45c613e0 Trans MOSFET N/P-CH Si 55V 4.7A/3.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.81 грн
10+148.77 грн
25+126.95 грн
100+117.15 грн
250+85.88 грн
500+81.64 грн
1000+75.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTR auirf7343q-1730807.pdf
AUIRF7343QTR
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTR INFN-S-A0002267452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7343QTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTR auirf7343q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad45c613e0
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 55V 4.7A/3.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+149.81 грн
10+148.77 грн
25+126.95 грн
100+117.15 грн
250+85.88 грн
500+81.64 грн
1000+75.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.