AUIRF7640S2TR Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 5.8A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET SB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 166.78 грн |
| 10+ | 102.85 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF7640S2TR Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF7640S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.027 ohm, DirectFET SB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 21, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 30, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30, Bauform - Transistor: DirectFET SB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: HEXFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції AUIRF7640S2TR за ціною від 46.25 грн до 191.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF7640S2TR | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 5.8A Automotive 6-Pin Direct-FET SB T/R |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
AUIRF7640S2TR | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 5.8A Automotive 6-Pin Direct-FET SB T/R |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
AUIRF7640S2TR | Infineon Technologies |
MOSFETs 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 36mOhms |
на замовлення 4796 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| AUIRF7640S2TR |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 5.8A Automotive 6-Pin Direct-FET SB T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 5.8A Automotive 6-Pin Direct-FET SB T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 185.58 грн |
| 10+ | 162.56 грн |
| 25+ | 155.52 грн |
| 50+ | 129.77 грн |
| 100+ | 113.00 грн |
| 250+ | 99.05 грн |
| 500+ | 90.29 грн |
| 1000+ | 89.38 грн |
| 3000+ | 88.49 грн |
| AUIRF7640S2TR |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 5.8A Automotive 6-Pin Direct-FET SB T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 5.8A Automotive 6-Pin Direct-FET SB T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 79+ | 185.58 грн |
| 90+ | 162.56 грн |
| 94+ | 155.52 грн |
| 109+ | 129.77 грн |
| 116+ | 113.00 грн |
| 250+ | 99.05 грн |
| 500+ | 90.29 грн |
| 1000+ | 89.38 грн |
| 3000+ | 88.49 грн |
| AUIRF7640S2TR |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 36mOhms
MOSFETs 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 36mOhms
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 191.42 грн |
| 10+ | 92.21 грн |
| 100+ | 71.49 грн |
| 500+ | 57.24 грн |
| 1000+ | 54.05 грн |
| 2500+ | 46.25 грн |