AUIRF7647S2TR Infineon Technologies
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4800+ | 73.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF7647S2TR Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: DirectFET SC, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції AUIRF7647S2TR за ціною від 67.00 грн до 191.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF7647S2TR | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: DirectFET SC Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRF7647S2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric SC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRF7647S2TR | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET |
на замовлення 3745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AUIRF7647S2TR | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: DirectFET SC Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AUIRF7647S2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |