Продукція > INFINEON > AUIRF7647S2TR
AUIRF7647S2TR

AUIRF7647S2TR INFINEON

INFN-S-A0002297172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: DirectFET SC
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+120.88 грн
500+93.92 грн
1000+81.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF7647S2TR INFINEON

Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: DirectFET SC, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції AUIRF7647S2TR за ціною від 59.56 грн до 234.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR Infineon Technologies auirf7647s2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad748c13ec Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.24 грн
10+119.80 грн
100+89.02 грн
500+72.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR Infineon Technologies auirf7647s2.pdf MOSFETs 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.51 грн
10+129.69 грн
100+93.04 грн
500+78.24 грн
1000+70.34 грн
2500+66.04 грн
4800+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR INFINEON INFN-S-A0002297172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: DirectFET SC
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.35 грн
10+149.66 грн
100+120.88 грн
500+93.92 грн
1000+81.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR auirf7647s2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad748c13ec
AUIRF7647S2TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+152.24 грн
10+119.80 грн
100+89.02 грн
500+72.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR auirf7647s2.pdf
AUIRF7647S2TR
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+210.51 грн
10+129.69 грн
100+93.04 грн
500+78.24 грн
1000+70.34 грн
2500+66.04 грн
4800+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR INFN-S-A0002297172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7647S2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: DirectFET SC
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+234.35 грн
10+149.66 грн
100+120.88 грн
500+93.92 грн
1000+81.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.