AUIRF7647S2TR

AUIRF7647S2TR Infineon Technologies


3676702166784548auirf7647s2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.9A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R
на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+69.64 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF7647S2TR Infineon Technologies

Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.026 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: DirectFET SC, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції AUIRF7647S2TR за ціною від 69.95 грн до 203.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR Виробник : INFINEON INFN-S-A0002297172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.026 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: DirectFET SC
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.89 грн
500+85.68 грн
1000+69.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR Виробник : Infineon Technologies auirf7647s2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad748c13ec Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.73 грн
10+123.33 грн
100+91.64 грн
500+75.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR Виробник : Infineon Technologies auirf7647s2-1730801.pdf MOSFETs 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.87 грн
10+136.24 грн
25+110.17 грн
100+88.29 грн
250+86.02 грн
500+76.97 грн
1000+71.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR Виробник : INFINEON INFN-S-A0002297172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.026 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: DirectFET SC
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+203.16 грн
10+145.60 грн
100+110.89 грн
500+85.68 грн
1000+69.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D748EF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7647s2.pdf?ci_sign=a5ade660db264cb9e00cb8ccb2dffd04e4723d6b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 41W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR Виробник : Infineon Technologies auirf7647s2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad748c13ec Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D748EF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7647s2.pdf?ci_sign=a5ade660db264cb9e00cb8ccb2dffd04e4723d6b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 41W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.