Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AUIRF7669L2TR
AUIRF7669L2TR

AUIRF7669L2TR Infineon Technologies

4190418992512215auirf7669l2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+488.68 грн
10+457.79 грн
25+454.69 грн
100+407.28 грн
250+374.08 грн
500+353.61 грн
1000+348.11 грн
3000+342.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF7669L2TR Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric L8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AUIRF7669L2TR за ціною від 330.64 грн до 526.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRF7669L2TR AUIRF7669L2TR Виробник : Infineon Technologies auirf7669l2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad8c6113f2 Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+512.76 грн
10+388.73 грн
100+359.54 грн
500+330.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TR AUIRF7669L2TR Виробник : Infineon Technologies 4190418992512215auirf7669l2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+526.27 грн
25+489.67 грн
100+438.61 грн
250+402.85 грн
500+380.81 грн
1000+374.88 грн
3000+368.89 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TR AUIRF7669L2TR Виробник : Infineon Technologies auirf7669l2-1225971.pdf MOSFETs 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+526.97 грн
10+408.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TR AUIRF7669L2TR Виробник : Infineon Technologies 4190418992512215auirf7669l2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TR AUIRF7669L2TR Виробник : Infineon Technologies 4190418992512215auirf7669l2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TR Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES auirf7669l2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad8c6113f2 AUIRF7669L2TR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TR AUIRF7669L2TR Виробник : Infineon Technologies auirf7669l2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad8c6113f2 Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.