Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AUIRF7669L2TR
AUIRF7669L2TR

AUIRF7669L2TR Infineon Technologies

auirf7669l2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad8c6113f2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+430.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF7669L2TR Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric L8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AUIRF7669L2TR за ціною від 366.96 грн до 753.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AUIRF7669L2TR AUIRF7669L2TR Infineon Technologies 4190418992512215auirf7669l2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+629.08 грн
10+589.31 грн
25+585.32 грн
100+524.29 грн
250+481.55 грн
500+455.20 грн
1000+448.12 грн
3000+440.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TR AUIRF7669L2TR Infineon Technologies 4190418992512215auirf7669l2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+629.08 грн
25+585.32 грн
100+524.29 грн
250+481.55 грн
500+455.20 грн
1000+448.12 грн
3000+440.95 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TR AUIRF7669L2TR Infineon Technologies auirf7669l2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad8c6113f2 Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+753.97 грн
10+501.16 грн
50+405.03 грн
100+366.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TR 4190418992512215auirf7669l2.pdf
AUIRF7669L2TR
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+629.08 грн
10+589.31 грн
25+585.32 грн
100+524.29 грн
250+481.55 грн
500+455.20 грн
1000+448.12 грн
3000+440.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TR 4190418992512215auirf7669l2.pdf
AUIRF7669L2TR
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+629.08 грн
25+585.32 грн
100+524.29 грн
250+481.55 грн
500+455.20 грн
1000+448.12 грн
3000+440.95 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TR auirf7669l2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad8c6113f2
AUIRF7669L2TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+753.97 грн
10+501.16 грн
50+405.03 грн
100+366.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.