AUIRF7669L2TR Infineon Technologies
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 484.15 грн |
| 10+ | 453.63 грн |
| 500+ | 381.54 грн |
| 1000+ | 351.90 грн |
| 4000+ | 335.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF7669L2TR Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric L8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AUIRF7669L2TR за ціною від 337.71 грн до 569.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF7669L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
AUIRF7669L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
AUIRF7669L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
AUIRF7669L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
AUIRF7669L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
AUIRF7669L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |