Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > AUIRF7675M2TR
AUIRF7675M2TR

AUIRF7675M2TR International Rectifier

INFN-S-A0002296968-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier
Description: AUIRF7675M2 - 120V-300V N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric M2
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
159+129.15 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF7675M2TR International Rectifier

Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: DirectFET M2, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції AUIRF7675M2TR за ціною від 92.83 грн до 312.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRF7675M2TR AUIRF7675M2TR INFINEON INFN-S-A0002296968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.84 грн
500+106.66 грн
1000+92.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR AUIRF7675M2TR Infineon Technologies auirf7675m2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad943b13f4 Description: MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M2
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR AUIRF7675M2TR INFINEON INFN-S-A0002296968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.55 грн
10+194.45 грн
100+137.84 грн
500+106.66 грн
1000+92.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR AUIRF7675M2TR Infineon Technologies auirf7675m2.pdf MOSFETs 150V AUTO GRD 1 N-CH HEXFET DIRECTFET M2
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.60 грн
10+199.76 грн
100+131.51 грн
500+110.41 грн
1000+106.19 грн
2500+99.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR INFN-S-A0002296968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7675M2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+137.84 грн
500+106.66 грн
1000+92.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR auirf7675m2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad943b13f4
AUIRF7675M2TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M2
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+284.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR INFN-S-A0002296968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7675M2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+294.55 грн
10+194.45 грн
100+137.84 грн
500+106.66 грн
1000+92.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR auirf7675m2.pdf
AUIRF7675M2TR
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 150V AUTO GRD 1 N-CH HEXFET DIRECTFET M2
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+312.60 грн
10+199.76 грн
100+131.51 грн
500+110.41 грн
1000+106.19 грн
2500+99.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.