Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AUIRF7736M2TR
AUIRF7736M2TR

AUIRF7736M2TR Infineon Technologies

auirf7736m2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355adac5913fb
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 108A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4267 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+138.63 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF7736M2TR Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 65A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 108A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DirectFET™ Isometric M4, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4267 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AUIRF7736M2TR за ціною від 125.28 грн до 315.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AUIRF7736M2TR AUIRF7736M2TR Infineon Technologies auirf7736m2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355adac5913fb Description: MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4267 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 108A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.88 грн
10+201.38 грн
100+142.74 грн
500+125.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7736M2TR auirf7736m2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355adac5913fb
AUIRF7736M2TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4267 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 108A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+315.88 грн
10+201.38 грн
100+142.74 грн
500+125.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.