Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > AUIRF7737L2TR

AUIRF7737L2TR ROCHESTER ELECTRONICS

auirf7737l2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b095ab1403 IRSDS11233-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7737L2TR - AUIRF7737L2 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF7737L2TR ROCHESTER ELECTRONICS

Description: MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric L6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 156A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: DIRECTFET L6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5469 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AUIRF7737L2TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AUIRF7737L2TR AUIRF7737L2TR Infineon Technologies auirf7737l2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b095ab1403 Description: MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5469 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7737L2TR AUIRF7737L2TR Infineon Technologies auirf7737l2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b095ab1403 Description: MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5469 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7737L2TR AUIRF7737L2TR International Rectifier IRSDS11233-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 31A/156A DIRECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7737L2TR AUIRF7737L2TR Infineon Technologies auirf7737l2-1730825.pdf MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 7.9mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7737L2TR auirf7737l2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b095ab1403
AUIRF7737L2TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5469 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7737L2TR auirf7737l2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b095ab1403
AUIRF7737L2TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5469 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7737L2TR IRSDS11233-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF7737L2TR
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 31A/156A DIRECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7737L2TR auirf7737l2-1730825.pdf
AUIRF7737L2TR
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 7.9mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.