AUIRF7759L2TR Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 335.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF7759L2TR Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0023 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції AUIRF7759L2TR за ціною від 330.52 грн до 1153.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AUIRF7759L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRF7759L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRF7759L2TR | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0023 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRF7759L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRF7759L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Automotive 75V 160A 2.3mOhm DirectFET 2 |
на замовлення 7350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRF7759L2TR | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0023 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRF7759L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRF7759L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |