Продукція > INFINEON > AUIRF7759L2TR
AUIRF7759L2TR

AUIRF7759L2TR INFINEON


INFN-S-A0002298866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+380.39 грн
250+372.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF7759L2TR INFINEON

Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції AUIRF7759L2TR за ціною від 319.89 грн до 1316.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR Виробник : Infineon Technologies 3677016744704606auirf7759l2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+382.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR Виробник : Infineon Technologies 3677016744704606auirf7759l2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+412.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR Виробник : Infineon Technologies IRSDS13104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+668.11 грн
10+443.35 грн
100+363.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR Виробник : Infineon Technologies auirf7759l2.pdf MOSFETs Automotive 75V 160A 2.3mOhm DirectFET 2
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+755.33 грн
10+513.42 грн
100+342.84 грн
1000+319.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR Виробник : INFINEON INFN-S-A0002298866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+808.06 грн
5+683.12 грн
10+557.37 грн
50+464.82 грн
100+380.39 грн
250+372.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR Виробник : Infineon Technologies 3677016744704606auirf7759l2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+1316.61 грн
12+1186.13 грн
50+1062.77 грн
100+934.47 грн
200+835.58 грн
500+737.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR Виробник : Infineon Technologies IRSDS13104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.