AUIRF9Z34N International Rectifier


TAUIRF9Z34n_0001.pdf
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A Automotive AUIRF9Z34N International Rectifier TAUIRF9Z34n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF9Z34N International Rectifier

Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AUIRF9Z34N за ціною від 50.35 грн до 199.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N International Rectifier IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+75.98 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N Infineon Technologies auirf9z34n.pdf MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.37 грн
10+126.16 грн
100+65.33 грн
500+57.88 грн
1000+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
264+75.98 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N auirf9z34n.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+199.37 грн
10+126.16 грн
100+65.33 грн
500+57.88 грн
1000+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.