Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AUIRF9Z34N
AUIRF9Z34N

AUIRF9Z34N Infineon Technologies

auirf9z34n.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+50.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF9Z34N Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AUIRF9Z34N за ціною від 54.24 грн до 64.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N Виробник : Infineon Technologies auirf9z34n.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
225+54.24 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N Виробник : International Rectifier IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
318+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 318
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N Виробник : International Rectifier AUIRF9Z34N.pdf IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET P-CH 55V 19A Automotive AUIRF9Z34N International Rectifier TAUIRF9Z34n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+56.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N Виробник : Infineon Technologies auirf9z34n.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N Виробник : Infineon Technologies AUIRF9Z34N.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.