
AUIRFB8405 Infineon Technologies
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 200.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFB8405 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 163W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5193 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AUIRFB8405 за ціною від 198.63 грн до 454.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AUIRFB8405 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AUIRFB8405 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 163W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 163W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 107nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AUIRFB8405 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AUIRFB8405 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 163W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 163W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 107nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AUIRFB8405 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AUIRFB8405 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
AUIRFB8405 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
AUIRFB8405 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
AUIRFB8405 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
AUIRFB8405 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5193 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |