AUIRFB8409
Код товару: 61521
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції AUIRFB8409 за ціною від 381.83 грн до 883.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRFB8409 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220ABFET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) |
на замовлення 1986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AUIRFB8409 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AUIRFB8409 | Infineon Technologies |
MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
AUIRFB8409 | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFB8409 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AUIRFB8409 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 663.51 грн |
| 50+ | 381.83 грн |
| AUIRFB8409 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 883.92 грн |
| 22+ | 643.91 грн |
| 50+ | 607.62 грн |
| 100+ | 549.79 грн |
| 200+ | 479.80 грн |
| 500+ | 429.50 грн |
| AUIRFB8409 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A
MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AUIRFB8409 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFB8409 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - AUIRFB8409 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






