AUIRFB8409


auirfs8409.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b73c5f14ec
Код товару: 61521
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції AUIRFB8409 за ціною від 381.83 грн до 883.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AUIRFB8409 AUIRFB8409 Infineon Technologies auirfs8409.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b73c5f14ec Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+663.51 грн
50+381.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFB8409 AUIRFB8409 Infineon Technologies 11auirfs8409.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+883.92 грн
22+643.91 грн
50+607.62 грн
100+549.79 грн
200+479.80 грн
500+429.50 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFB8409 AUIRFB8409 Infineon Technologies auirfs8409.pdf MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFB8409 AUIRFB8409 INFINEON IRSDS18596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFB8409 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFB8409 auirfs8409.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b73c5f14ec
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+663.51 грн
50+381.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFB8409 11auirfs8409.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+883.92 грн
22+643.91 грн
50+607.62 грн
100+549.79 грн
200+479.80 грн
500+429.50 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFB8409 auirfs8409.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFB8409 IRSDS18596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFB8409 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.