![AUIRFB8409 AUIRFB8409](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/330520d3a0607a2624be1284263d699fc053d976/to-220ab.jpg)
AUIRFB8409 Infineon Technologies
![11auirfs8409.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 551.47 грн |
30+ | 401.8 грн |
50+ | 356.6 грн |
100+ | 323.52 грн |
200+ | 282.52 грн |
500+ | 252.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFB8409 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRFB8409 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.001 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 195, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung Pd: 375, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9, Verlustleistung: 375, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції AUIRFB8409 за ціною від 371.62 грн до 725.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AUIRFB8409 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AUIRFB8409 | Виробник : INFINEON |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 195 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AUIRFB8409 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V |
на замовлення 1986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AUIRFB8409 Код товару: 61521 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
![]() |
AUIRFB8409 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
AUIRFB8409 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
AUIRFB8409 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
AUIRFB8409 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 195A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
AUIRFB8409 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 195A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |