AUIRFN7107TR

AUIRFN7107TR Infineon Technologies


INFN-S-A0002298754-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: AUIRFN7107 - 75V-100V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3001 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
245+93.32 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRFN7107TR Infineon Technologies

Description: AUIRFN7107 - 75V-100V N-CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3001 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AUIRFN7107TR за ціною від 72.46 грн до 202.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRFN7107TR AUIRFN7107TR Виробник : International Rectifier INFN-S-A0002298754-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3001 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
245+93.32 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN7107TR AUIRFN7107TR Виробник : Infineon Technologies auirfn7107-1730840.pdf MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 4405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.56 грн
10+179.36 грн
100+125.07 грн
500+103.00 грн
1000+85.34 грн
4000+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN7107TR AUIRFN7107TR Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E89CC18E454A143&compId=auirfn7107.pdf?ci_sign=34117ebffd8b16428073bda1d9cdede2ef85df1d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 53A; 300W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 53A
Power dissipation: 300W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN7107TR AUIRFN7107TR Виробник : Infineon Technologies auirfn7107.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 14A Automotive 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN7107TR AUIRFN7107TR Виробник : Infineon Technologies auirfn7107.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b15a931436 Description: MOSFET N-CH 75V 14A/75A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3001 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN7107TR AUIRFN7107TR Виробник : Infineon Technologies auirfn7107.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b15a931436 Description: MOSFET N-CH 75V 14A/75A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3001 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN7107TR AUIRFN7107TR Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E89CC18E454A143&compId=auirfn7107.pdf?ci_sign=34117ebffd8b16428073bda1d9cdede2ef85df1d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 53A; 300W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 53A
Power dissipation: 300W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.