Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AUIRFN8458TR
AUIRFN8458TR

AUIRFN8458TR Infineon Technologies

Infineon_AUIRFN8458_DataSheet_v01_00_EN-3360495.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 40V Dual N Channel HEXFET
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.02 грн
10+149.25 грн
100+103.55 грн
250+95.27 грн
500+86.29 грн
1000+73.87 грн
2500+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRFN8458TR Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 43A PQFN, Supplier Device Package: PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Power - Max: 34W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції AUIRFN8458TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AUIRFN8458TR AUIRFN8458TR Infineon Technologies AUIRFN8458.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 43A PQFN
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8458TR AUIRFN8458TR Infineon Technologies AUIRFN8458.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 43A PQFN
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8458TR AUIRFN8458.pdf
AUIRFN8458TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 43A PQFN
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8458TR AUIRFN8458.pdf
AUIRFN8458TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 43A PQFN
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.