
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 198.96 грн |
10+ | 163.15 грн |
100+ | 113.19 грн |
250+ | 104.14 грн |
500+ | 94.33 грн |
1000+ | 80.74 грн |
2500+ | 76.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFN8458TR Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 43A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 34W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA, Supplier Device Package: PQFN (5x6).
Інші пропозиції AUIRFN8458TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
AUIRFN8458TR | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
AUIRFN8458TR | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) |
товару немає в наявності |
|
![]() |
AUIRFN8458TR | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) |
товару немає в наявності |