AUIRFN8459TR Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 194.80 грн |
| 10+ | 174.34 грн |
| 25+ | 166.14 грн |
| 100+ | 143.66 грн |
| 250+ | 127.71 грн |
| 500+ | 114.68 грн |
| 1000+ | 109.67 грн |
| 3000+ | 104.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFN8459TR Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRFN8459TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 0.0048 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 50W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 50W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції AUIRFN8459TR за ціною від 104.66 грн до 373.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRFN8459TR | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
AUIRFN8459TR | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
AUIRFN8459TR | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V Dual N Channel HEXFET |
на замовлення 541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
AUIRFN8459TR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFN8459TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 0.0048 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 50W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 19938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
AUIRFN8459TR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFN8459TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 0.0048 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 50W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 19938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| AUIRFN8459TR |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 73+ | 194.80 грн |
| 82+ | 174.34 грн |
| 86+ | 166.14 грн |
| 100+ | 143.66 грн |
| 250+ | 127.71 грн |
| 500+ | 114.68 грн |
| 1000+ | 109.67 грн |
| 3000+ | 104.66 грн |
| AUIRFN8459TR |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 38+ | 373.89 грн |
| 43+ | 330.61 грн |
| 50+ | 292.14 грн |
| 100+ | 255.04 грн |
| 200+ | 234.00 грн |
| 500+ | 196.81 грн |
| 1000+ | 179.30 грн |
| 2000+ | 162.81 грн |
| 4000+ | 153.54 грн |
| AUIRFN8459TR |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V Dual N Channel HEXFET
MOSFETs 40V Dual N Channel HEXFET
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AUIRFN8459TR |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFN8459TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 0.0048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - AUIRFN8459TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 0.0048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AUIRFN8459TR |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFN8459TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 0.0048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - AUIRFN8459TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 0.0048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





