AUIRFN8459TR INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - AUIRFN8459TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 0.0048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 129.40 грн |
| 250+ | 123.67 грн |
| 1000+ | 101.91 грн |
| 2000+ | 87.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFN8459TR INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFN8459TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 0.0048 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 50W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 50W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції AUIRFN8459TR за ціною від 87.75 грн до 343.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AUIRFN8459TR | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFN8459TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 0.0048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 50W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 19938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
AUIRFN8459TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
AUIRFN8459TR | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V Dual N Channel HEXFET |
на замовлення 541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
AUIRFN8459TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
AUIRFN8459TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
AUIRFN8459TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
AUIRFN8459TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
AUIRFN8459TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active |
товару немає в наявності |