Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFP4568 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRFP4568 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 5900 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 171A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 517W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції AUIRFP4568 за ціною від 1069.14 грн до 1390.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRFP4568 | INFINEON |
 Description: INFINEON - AUIRFP4568 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 5900 µohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 517W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFP4568 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; Idm: 684A; 517W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 150V Drain current: 171A Case: TO247 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 684A Power dissipation: 517W Technology: HEXFET® Application: automotive industry Gate-source voltage: ±30V |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| AUIRFP4568 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFP4568 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 5900 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - AUIRFP4568 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 5900 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AUIRFP4568 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; Idm: 684A; 517W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 684A
Power dissipation: 517W
Technology: HEXFET®
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±30V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; Idm: 684A; 517W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 684A
Power dissipation: 517W
Technology: HEXFET®
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 1390.23 грн |
| 9+ | 1235.91 грн |
| 10+ | 1229.13 грн |
| 20+ | 1198.66 грн |
| 30+ | 1069.14 грн |