AUIRFP4568 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; Idm: 684A; 517W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 684A
Application: automotive industry
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 1331.37 грн |
| 9+ | 1184.28 грн |
| 10+ | 1177.68 грн |
| 20+ | 1147.97 грн |
| 30+ | 1024.17 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFP4568 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - AUIRFP4568 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 5900 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 171A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 517W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm.
Інші пропозиції AUIRFP4568 за ціною від 598.22 грн до 1432.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRFP4568 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(120V 300V) |
на замовлення 674 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AUIRFP4568 | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFP4568 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 5900 µohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 517W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm |
на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AUIRFP4568 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(120V 300V)
MOSFETs MOSFET_(120V 300V)
на замовлення 674 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1432.55 грн |
| 10+ | 978.11 грн |
| 100+ | 708.65 грн |
| 400+ | 648.69 грн |
| 1200+ | 598.22 грн |
| AUIRFP4568 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFP4568 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 5900 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 517W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
Description: INFINEON - AUIRFP4568 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 5900 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 517W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




