Продукція > INFINEON > AUIRFR024N

AUIRFR024N INFINEON

Name: AUIRFR024N
Brand: INFINEON
SKU: 14996956-6
Price: 962.22 UAH
Availability: InStock

INFN-S-A0008053310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR024N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 1777 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	160.37 грн
10+	120.48 грн
100+	86.29 грн
500+	61.83 грн
1000+	46.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис AUIRFR024N INFINEON

Description: INFINEON - AUIRFR024N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції AUIRFR024N

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
AUIRFR024N	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AUIRFR024N	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 45W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AUIRFR024N	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AUIRFR024N	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 45W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.