Технічний опис AUIRFR1010Z Infineon
Description: INFINEON - AUIRFR1010Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, Dauer-Drainstrom Id: 42, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 140, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, Verlustleistung: 140, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції AUIRFR1010Z
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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AUIRFR1010Z | Infineon Technologies |
 Description: AUIRFR1010 - 55V-60V N-CHANNEL APackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V |
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AUIRFR1010Z | Infineon / IR |
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms |
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AUIRFR1010Z | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR1010Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 42 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 140 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 140 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| AUIRFR1010Z |
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Виробник: Infineon Technologies
Description: AUIRFR1010 - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Description: AUIRFR1010 - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
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| AUIRFR1010Z |
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Виробник: Infineon / IR
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms
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| AUIRFR1010Z |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR1010Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 42
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AUIRFR1010Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 42
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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