AUIRFR2407 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFR2407 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AUIRFR2407
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRFR2407 | Infineon Technologies |
MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
AUIRFR2407 | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR2407 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 42 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 110 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| AUIRFR2407 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms
MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRFR2407 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR2407 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 42
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - AUIRFR2407 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 42
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.