AUIRFR2905ZTRL Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 87.09 грн |
| 6000+ | 84.65 грн |
| 9000+ | 82.18 грн |
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Технічний опис AUIRFR2905ZTRL Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRFR2905ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 59 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 110W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції AUIRFR2905ZTRL за ціною від 88.62 грн до 116.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
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AUIRFR2905ZTRL | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AUIRFR2905ZTRL | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AUIRFR2905ZTRL | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR2905ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 59 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
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AUIRFR2905ZTRL | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR2905ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 59 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| AUIRFR2905ZTRL |
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Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 93.92 грн |
| 6000+ | 91.29 грн |
| 9000+ | 88.62 грн |
| AUIRFR2905ZTRL |
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Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 116.45 грн |
| AUIRFR2905ZTRL |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR2905ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 59 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AUIRFR2905ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 59 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AUIRFR2905ZTRL |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR2905ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 59 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AUIRFR2905ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 59 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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Dauer-Drainstrom Id: 59A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



