Продукція > INFINEON > AUIRFR3504Z

AUIRFR3504Z INFINEON

Name: AUIRFR3504Z
Brand: INFINEON
SKU: 1993321-6
Price: 166.26 UAH
Availability: InStock

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR3504Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.00823 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00823
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00823
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	186.48 грн
10+	166.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис AUIRFR3504Z INFINEON

Description: INFINEON - AUIRFR3504Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.00823 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 90, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 2, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00823, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00823, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції AUIRFR3504Z

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
AUIRFR3504Z	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 77A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 150 шт	товар відсутній
AUIRFR3504Z	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V	товар відсутній
AUIRFR3504Z	Виробник : Infineon / IR	MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9mOhms	товар відсутній
AUIRFR3504Z	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 77A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced	товар відсутній