
AUIRFR4105ZTRL Infineon Technologies
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 164.79 грн |
10+ | 135.37 грн |
100+ | 92.70 грн |
250+ | 86.07 грн |
500+ | 77.98 грн |
1000+ | 67.17 грн |
3000+ | 61.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFR4105ZTRL Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 20A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AUIRFR4105ZTRL за ціною від 85.83 грн до 85.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AUIRFR4105ZTRL | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
AUIRFR4105ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
AUIRFR4105ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
AUIRFR4105ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
AUIRFR4105ZTRL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Power dissipation: 48W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
AUIRFR4105ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
AUIRFR4105ZTRL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Power dissipation: 48W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |