Продукція > INFINEON > AUIRFR4292TRL
AUIRFR4292TRL

AUIRFR4292TRL INFINEON

3705451.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR4292TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.3 A, 0.275 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.275ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.51 грн
500+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRFR4292TRL INFINEON

Description: INFINEON - AUIRFR4292TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.3 A, 0.275 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 100W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: Produktreihe HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.275ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції AUIRFR4292TRL за ціною від 65.99 грн до 188.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRFR4292TRL AUIRFR4292TRL Виробник : Infineon Technologies auirfr4292-1226068.pdf MOSFETs Automotive Logic Le mOhm, 13 nC Qg, DPAK
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.95 грн
10+144.67 грн
100+100.05 грн
250+91.96 грн
500+83.87 грн
1000+72.02 грн
3000+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4292TRL AUIRFR4292TRL Виробник : INFINEON 3705451.pdf Description: INFINEON - AUIRFR4292TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.3 A, 0.275 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+188.16 грн
10+138.65 грн
100+101.51 грн
500+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4292TRL AUIRFR4292TRL Виробник : Infineon Technologies 3448804561828353auirfr4292.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 9.3A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4292TRL AUIRFR4292TRL Виробник : Infineon Technologies auirfr4292.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b59f38148b Description: MOSFET N-CH 250V 9.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.