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AUIRFR4620

AUIRFR4620 Infineon Technologies

INFN-S-A0002298851-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
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Технічний опис AUIRFR4620 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AUIRFR4620 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 24, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 144, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).

Інші пропозиції AUIRFR4620

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AUIRFR4620 AUIRFR4620 Infineon Technologies auirfr4620-1730842.pdf MOSFETs AUTO 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms
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AUIRFR4620 INFINEON 2332921.pdf Description: INFINEON - AUIRFR4620 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 144
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTO 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms
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AUIRFR4620 2332921.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR4620 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 144
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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