AUIRFR5305TR Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 269.63 грн |
| 10+ | 170.05 грн |
| 100+ | 118.89 грн |
| 500+ | 91.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFR5305TR Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AUIRFR5305TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRFR5305TR | Infineon Technologies |
MOSFETs AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms |
на замовлення 7853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AUIRFR5305TR |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
MOSFETs AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
на замовлення 7853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)