Продукція > INFINEON > AUIRFR5305TR

AUIRFR5305TR INFINEON

Name: AUIRFR5305TR
Brand: INFINEON
SKU: 8506027-6
Price: 199720 UAH
Availability: InStock

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	99.86 грн
6000+	97.38 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис AUIRFR5305TR INFINEON

Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 110W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HexFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції AUIRFR5305TR за ціною від 80.43 грн до 341.63 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

AUIRFR5305TR

Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS

INFN-S-A0002023020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFR5305TR - MOSFET40V,60V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 521 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
208+	117.19 грн

Мінімальне замовлення: 208

В кошику од. на суму грн.

AUIRFR5305TR

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 9964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	177.44 грн
500+	111.88 грн
1000+	87.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

AUIRFR5305TR

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 9964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	222.83 грн
50+	199.72 грн
100+	177.44 грн
500+	111.88 грн
1000+	87.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

AUIRFR5305TR

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms

на замовлення 10945 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	229.16 грн
10+	164.98 грн
100+	104.47 грн
500+	86.81 грн
1000+	86.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

AUIRFR5305TR

Виробник : Infineon Technologies

auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494

Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	257.05 грн
10+	161.85 грн
100+	113.16 грн
500+	86.70 грн
1000+	80.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

AUIRFR5305TR

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
36+	341.63 грн
51+	240.97 грн
61+	202.33 грн
100+	150.01 грн
500+	112.57 грн
2000+	104.58 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

AUIRFR5305TR

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AUIRFR5305TR

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0459A727E00F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr5305.pdf?ci_sign=8ba5a50746c52b1d874a77eb183958227fbf42c2

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AUIRFR5305TR

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AUIRFR5305TR

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.