AUIRFR540ZTRL Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 83.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFR540ZTRL Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRFR540ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0285 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 91W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції AUIRFR540ZTRL за ціною від 79.96 грн до 257.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRFR540ZTRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR540ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0285 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRFR540ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Automotive MOSFET 1 100V, 26 mOhm, DPAK |
на замовлення 2231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRFR540ZTRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR540ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0285 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRFR540ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AUIRFR540ZTRL | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 756000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
AUIRFR540ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |